科研实验专用硒化铟靶材In2Se3磁控溅射靶材电子束镀膜蒸发料

产品介绍

硒化铟（In2Se3）是一种Ⅲ-Ⅵ族化合物，具有不同的化学组成。In2Se3是一种N型半导体化合物，可以应用于光电转化、光催化、电子器件等领域。

产品参数

中文名硒化铟 分子量466.516

化学式In2Se3 熔点667℃

密度5.78g/mL （15℃）

支持靶材定制，请提供靶材产品的元素、比例（重量比或原子比）、规格，我们会尽快为您报价！！

服务项目：靶材成份比例、规格、纯度均可按需定制。科研单位货到付款，质量保证，售后无忧！

产品附件：发货时产品附带装箱单/质检单/产品为真空包装

适用仪器：多种型号磁控溅射、热蒸发、电子束蒸发设备

质量控制：严格控制生产工艺，采用辉光放电质谱法GDMS或ICP光谱法等多种检测手段，分析杂质元素含量保证材料的高纯度与细小晶粒度；可提供质检报告。

加工流程：熔炼→提纯→锻造→机加工→检测→包装出库

陶瓷化合物靶材本身质脆且导热性差，连续长时间溅射易发生靶裂情况，绑定背靶后，可提高化合物靶材的导热性能，提高靶材的使用寿命。我们强烈建议您，选购陶瓷化合物靶材一定要绑定铜背靶！

我公司采用高纯铟作为焊料，铟焊厚度约为0.2mm，高纯无氧铜作为背靶。

注意：高纯铟的熔点约为156℃，靶材工作温度超过熔点会导致铟熔化！绑定背靶不影响靶材的正常使用！

建议：陶瓷脆性靶材、烧结靶材，高功率下溅射易碎，建议溅射功率不超过3W/cm2。