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ITO靶材的制备通常采用物相沉积（PVD）或化学气相沉积（CVD）等方法。PVD法通过溅射技术将铟和锡等材料沉积在基材上，形成ITO薄膜。CVD法则是通过气相反应在基材表面生成ITO薄膜。这两种方法都能够生产高质量、均匀的ITO薄膜，但PVD法更为常见。
ITO靶材作为重要的透明导电材料，在电子产业中扮演着重要角色。为了实现资源的可持续利用，铟元素的回收变得尤为重要。目前，化学、物理和电化学回收法都在不同程度上取得了一定的成果，但仍需要进一步的研究和改进。随着技术的不断发展，我们有望找到更加、环保的ITO靶材回收方法，为电子产业的可持续发展做出贡献。